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IXBN75N170
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
160
140
120
100
80
V GE = 25V
19V
15V
13V
11V
9V
320
280
240
200
160
V GE = 25V
17V
15V
13V
11V
9V
60
120
40
7V
80
20
0
40
0
7V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V CE - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V CE - Volts
Fig. 4. Dependence of V CE(sat) on
Junction Temperature
160
140
120
V GE = 25V
19V
15V
13V
11V
1.7
1.6
1.5
1.4
V GE = 15V
I
C
= 150A
100
1.3
80
9V
1.2
60
40
7V
1.1
1.0
I
C
= 75A
0.9
20
5V
0.8
I
C
= 37.5A
0
0.7
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
5.5
V CE - Volts
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Input Admittance
5.0
4.5
T J = 25oC
180
160
140
4.0
3.5
I
C
= 150A
120
100
T J = 125oC
3.0
2.5
2.0
1.5
75A
37.5A
80
60
40
20
0
25oC
- 40oC
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
V GE - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V GE - Volts
IXYS REF: B_75N170(8T)7-01-09
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IXBOD1-12 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Breakover Diodes